Схема биполярного транзистора в инверсном

Схема биполярного транзистора в инверсном

soastocormis | | Комментарии 1 комментариев

От соотношения этих потоков зависит направление токов, протекающих в цепях эмиттера и коллектора. Например, при сильном увеличении напряжения на переходе база-коллектор может начаться лавинное размножение заряда из-за ударной ионизации. Вследствие двойной инжекции база транзистора очень сильно насыщается избыточными электронами, из-за чего усиливается их рекомбинация с дырками, и рекомбинационный ток базы оказывается значительно выше, чем в активном или инверсном режимах.

А теперь следите за руками. В режиме отсечки оба перехода транзистора находятся в закрытом состоянии. В активном режиме работы транзистора первый из них подключается с прямым, а второй — с обратным смещениями.

#12.2 Биполярные транзисторы. Схемы включения, режимы работы + параметры.



Однако из-за конструктивных различий между областями коллектора и эмиттера усилительные свойства транзистора в инверсном режиме проявляются гораздо хуже, чем в режиме активном. Помню, моей одногрупнице принцип работы биполярного транзистора объясняли на примере водопроводного крана. Следует также отметить, что в связи с насыщением базы транзистора и его переходов избыточными носителями заряда, их сопротивления становятся очень маленькими. Помимо рассмотренных процессов, на p-n переходах транзистора может происходить еще ряд явлений.

Поэтому цепи, содержащие транзистор, находящийся в режиме насыщения, можно считать короткозамкнутыми. Который, как мы помним, включен с обратным смещением. Поэтому на практике инверсный режим практически не используется. Что же при этом происходит на p-n переходах? Достаточно небольшого усилия управляющего воздействиячтобы поток воды из крана увеличился. Как видно из рисунка, в этом режиме и эмиттер, и коллектор инжектируют электроны в базу, в результате чего в структуре протекают два встречных сквозных потока электронов нормальный инверсный.

Вода в нем — ток коллектора, а управляющий ток базы — то, насколько мы поворачиваем ручку. Учитывая то, что в режиме насыщения напряжение между электродами транзистора составляет всего несколько десятых долей вольта, часто считают, что в этом режиме транзистор представляет собой эквипотенциальную точку.

В таком режиме транзистор также может использоваться для усиления.

А поскольку в базе электроны — неосновные носители заряда, то электирическое поле перехода помогает им преодолеть. А поскольку ток коллектора изначально больше тока базы, то это изменение будет весьма и весьма заметно. Таким образом, произойдет усиление слабого сигнала, поступившего на базу.

Биполярный транзистор

Работа транзистора основана на управлении токами электродов в зависимости от приложенных к его переходам напряжений. В связи с тем, что усилительные свойства транзистора в инверсном режиме оказываются значительно хуже, чем в активном режиме, транзистор в инверсном режиме практически не используется.

Там они частично рекомбинируют с дырками, но большая их часть из-за малой толщины базы и ее слабой легированности успевает добежать до перехода база-коллектор.

Биполярный транзистор.

Инверсный режим инверсный активный режим работы транзистора аналогичен активному режиму с той лишь разницей, что в этом режиме в открытом состоянии находится коллекторный переход, а в закрытом - эмиттерный переход.

Режим насыщения режим двойной инжекции — оба перехода транзистора находятся под прямым смещением. Переход база-коллектор открыться не. Если увеличить ток базы, то переход ЭБ откроется сильнее, и между эмиттером и коллектором сможет проскочить больше электронов. Таким образом, ток коллетора получается лишь немного меньше тока эмиттера.

В этом случае выходной ток транзистора не может управляться его входным током, то есть усиление сигналов невозможно. Равная ей рекомбинационная составляющая тока эмиттера определяет его отличие от тока коллектора, создаваемого практически исключительно сквозным потоком электронов. Структура транзистора и потоки носителей в режиме отсечки приведены на рис. А вкупе с туннельным эффектом это даст сначала электрический, а затем с возрастанием тока и тепловой пробой.МЭТ представляет собой несколько транзисторных структур, имеющих общий коллектор.

Для большей определенности будем рассматривать n-p-n транзистор. В режиме насыщения оба перехода транзистора находятся в открытом состоянии.

Рассмотрим p-n переходы транзистора.